半导体行业生产过程中的多个环节都可能产生静电。还可能带来危害：如直接损害半导体器件、降低生产效率、增加成本、影响制造过程的可靠性，以及其他潜在危害会释放比如电磁辐射、电晕放电和火花放电等。这种静电场电磁脉冲会对各种电子装备和信息化系统造成电磁干扰，影响设备的正常运行。

1.晶圆制备阶段：

晶圆切割：晶圆切割时，无论是采用光切割还是离子束切割，切割过程中材料的摩擦和分离都可能产生静电。

晶圆清洗：晶圆切割后，需要对晶圆进行清洗以去除表面杂质。清洗过程中也可能产生静电，特别是在空气湿度较低的情况下。

2.芯片制造阶段：

光刻：光刻是半导体制造中的关键步骤，通过光刻胶和紫外光将电路图案转移到晶圆上。在这个过程中，晶圆与光刻掩膜的接触和分离可能产生静电，导致静电放电。

离子注入：离子注入是改变硅电学性质的重要步骤。在离子注入过程中，离子束的轰击会使芯片表面电位升高，从而产生静电。为了减少静电的影响，需要采取适当的防静电措施安装静电消除器。

3.沉积和薄膜生长：

在薄膜沉积（如化学气相沉积、物理气相沉积等）过程中，材料在晶圆表面沉积时也可能产生静电。

4.封装和运输阶段：

封装工艺：封装过程中包括芯片粘贴、焊接等步骤，这些步骤中的材料接触和分离都可能产生静电。此外，封装设备中的静电也可能对芯片造成损害。

芯片运输：在芯片运输过程中，由于摩擦和空气流动等因素，也可能产生静电。为了保护芯片免受静电损害，应使用防静电包装材料。

静电控制案例

某半导体制造公司为了减少芯片制造过程中的静电危害，减少因静电导致的芯片损坏和设备故障，决定在生产线上安装静电消除器。该公司选择了在关键工序和静电敏感区域进行安装，以确保最大程度地降低静电风险。

静电控制区域以及产品选择

关键工序区域：

在光刻、离子注入、薄膜沉积等关键工序区域，安装了多台4700高平衡离子风嘴。这些区域由于工艺复杂、设备精密，对静电控制的要求较高。

静电敏感区域：

在晶圆传输、存储和检测等静电敏感区域，可以安装ASG系列智能离子风棒。这些区域中的晶圆和芯片容易受到静电的影响，因此需要进行重点保护。

4700高平衡离子风嘴

可消除静电到+/-20V以下！可连接PLC远程监控，专业应用于高标准静电消除及灰尘清洁，在通讯\电子\印制电路板\半导体及医疗器械制造业广泛应用。

1.离子平衡+/-20V，超高的离子平衡度。

2. LED显示工作状态，便于使用。

3.采用24V信号输出，可远程监控运行状态及是否需要清洁。

4. 具有欠压，过载及反极性连线保护，保证安全。

5.符合ANSI ESD STM3.1.标准。

6.可以连接延伸管，可延长消除距离到最远650mm。

ASG系列智能型离子风棒

性价比更高，突破性的将传统线圈变压器改成压电陶瓷变压器，降低尺寸便于在狭窄空间安装，增强产品安全性！内置控制器与无线遥控器结合，可遥控调节离子平衡度及频率。

1.静电消除距离：达200-2000mm，最佳距离500mm以内。

2. 无线遥控器：选个单个离子棒进行沟通，可确认或改变离子平衡度、频率等。

3. 更佳的喷嘴设计：减少耗气量，最小化异物的生成。

4. 采用空气动力学设计：减少用气量使放电针部位异物附着最小化。

5.安装自由：使用专用支架，角度可调到180度，安装方便自由。

6.空气消耗量低：单个喷嘴耗气量0.3Mpa下大约5.1L/min